MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪...MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅動功率小、動態范圍大、安全工作區域(SOA)寬等一系列的優點，因此被廣泛的...
KIA3400采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵...KIA3400采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵極電壓下運行。該裝置適用于負載開關或PWM應用。標準產品KIA3400是無鉛的（符合ROH...
相移全橋電路中輕負載時流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂...相移全橋電路中輕負載時流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂的COSS充放電完成之前就開始開關工作。因此，ZVS工作無法執行，很容易發生MOSFET的...
例如，許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結構，而小于200V...例如，許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結構，而小于200V的產品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結構。因此，當耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主...
N溝道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D ...N溝道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A 功率MOSFET 100%測試
通過模型導出的器件Model通常是一個四端口網絡，這是在實際器件中襯底也是需要...通過模型導出的器件Model通常是一個四端口網絡，這是在實際器件中襯底也是需要接參考的。 通常NMOS器件襯底接地（或最低電平），相對應PMOS器件襯底接電源（或最...
