比如說(shuō)，MOSFET也有三個(gè)寄生電容，比如GS,GD,DS之間的等效寄生電容，盡管它們也...比如說(shuō)，MOSFET也有三個(gè)寄生電容，比如GS,GD,DS之間的等效寄生電容，盡管它們也會(huì)影響MOS管開(kāi)關(guān)的動(dòng)態(tài)性能，在某些電路條件下可能會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)故障，但是MOS管原理圖...
MOS管開(kāi)關(guān)頻率如何測(cè)算?，MOS管在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。M...MOS管開(kāi)關(guān)頻率如何測(cè)算?，MOS管在導(dǎo)通和截止的時(shí)候，一定不是在瞬間完成的。MOS管兩端的電壓有一個(gè)下降的過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管...
11月6日下午，第14屆大興汽車杯足球邀請(qǐng)賽在深圳寶安體育館隆重開(kāi)幕！大興汽車...11月6日下午，第14屆大興汽車杯足球邀請(qǐng)賽在深圳寶安體育館隆重開(kāi)幕！大興汽車集團(tuán)董事會(huì)各位董事、集團(tuán)高管、深圳市足協(xié)、賽事組委會(huì)等多位嘉賓出席本次開(kāi)幕式。...
100V9AMOS管 KNX4810A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(ON)=140mΩ(Typ.)@VGS=10V N溝道，邏輯電...100V9AMOS管 KNX4810A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(ON)=140mΩ(Typ.)@VGS=10V N溝道，邏輯電平5V 增強(qiáng)型 快速切換 無(wú)鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
縮小MOS器件的尺寸是推進(jìn)LSI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵因素初期的MOs器件都是大尺寸的(10m...縮小MOS器件的尺寸是推進(jìn)LSI技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵因素初期的MOs器件都是大尺寸的(10m左右),因而習(xí)慣上有套適用它們的物理模型和計(jì)算方法,所得的結(jié)果與大尺寸器件的實(shí)測(cè)特...
50n06參數(shù)中文RDS(on) =10.5m?@ VGS =10V、提供無(wú)鉛綠色設(shè)備、低Rds開(kāi)啟，最大...50n06參數(shù)中文RDS(on) =10.5m?@ VGS =10V、提供無(wú)鉛綠色設(shè)備、低Rds開(kāi)啟，最大限度地減少導(dǎo)電損耗、高雪崩電流
