從運放這張圖中，可以看出這就是一個反相積分電路，當輸入電阻較大時，開關(guān)速度...從運放這張圖中，可以看出這就是一個反相積分電路，當輸入電阻較大時，開關(guān)速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯，但是當開關(guān)速度比較高，而且VDD供電電壓比較...
當Q3基極輸入高電平時，三極管導通，Q1、Q2的柵極都被拉到0V，Q1通過體二極管，...當Q3基極輸入高電平時，三極管導通，Q1、Q2的柵極都被拉到0V，Q1通過體二極管，符合條件（Vgs<0）先導通，接著Q2的源極S端電壓大于柵極G端電壓（Vgs
KNY3403A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，采用KIA先進的溝槽技術(shù)，低導...KNY3403A場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，采用KIA先進的溝槽技術(shù)，低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導電損耗，減少導通損耗、提供卓越的開關(guān)性...
兩個PMOS接在上邊作為上橋臂，兩個NMOS接在下邊作為下橋臂，要想讓PMOS導通，那...兩個PMOS接在上邊作為上橋臂，兩個NMOS接在下邊作為下橋臂，要想讓PMOS導通，那么PMOS柵極的電壓就要低于源極的電壓，而且柵源之間的電壓要低于開啟電壓。
如上圖所示，為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時導通，那么可以有幾種控制方式...如上圖所示，為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時導通，那么可以有幾種控制方式： PWM控制上管，下管電平控制（恒高或者恒低）； PWM控制下管，上管電平控制；
KNY3303B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，采用KIA先進的溝槽技術(shù)，特別...KNY3303B場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流90A，采用KIA先進的溝槽技術(shù)，特別針對減少導通損耗、提供卓越的開關(guān)性能以及在雪崩和換向模式下承受高能脈沖進行了優(yōu)...
