接通電源后，C1會有300V左右的直流電壓，通過R2給Q1的基極提供電流，Q1的發射極...接通電源后，C1會有300V左右的直流電壓，通過R2給Q1的基極提供電流，Q1的發射極有R1電流檢測電阻R1，Q1基極得電后，會經過T1的（3、4）產生集電極電流，并同時在T...
白天在較強光照下，光導管227A（一種光敏電阻）兩端阻值很小，約20~50kΩ;，晶...白天在較強光照下，光導管227A（一種光敏電阻）兩端阻值很小，約20~50kΩ;，晶體管VT2獲得基極電流而導通，VT1從R2上得到正偏電壓也導通，繼電器線圈KA得電，繼電...
KIA2N60HP場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流2A，低導通電阻RDS(開啟) 4.1Ω，...KIA2N60HP場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流2A，低導通電阻RDS(開啟) 4.1Ω，最大限度地減少導電損耗；具有低柵極電荷（典型值9nC）、高耐用性、快速切換能力，...
SMA封裝（DO-214AC） 尺寸4.5×2.5mm，引腳間距1.27mm，高度僅1.1mm，采用扁平...SMA封裝（DO-214AC） 尺寸4.5×2.5mm，引腳間距1.27mm，高度僅1.1mm，采用扁平矩形結構，引腳呈鷗翼型（J形）。 2. SMB封裝（DO-214AA） 尺寸4.5×3.5mm，引腳...
表面貼裝式是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式...表面貼裝式是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）等。
KIA100N03AD場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用KIA半導體的先進平面...KIA100N03AD場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為90A，采用KIA半導體的先進平面條紋DMOS技術制造，極低?RDS(on)=3.3mΩ，最小化通態電阻，提供了優越的開關性能；...
