KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET，采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)...KIA23P10A是一款能夠替代cmd5940的P溝道MOSFET，采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，性能優(yōu)越；漏源擊穿電壓為-100V，漏極電流為-23A，低導(dǎo)通電阻RDS（ON）值為78mΩ（...
最大耐壓：30V 最大電流：18A 導(dǎo)通電阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電...最大耐壓：30V 最大電流：18A 導(dǎo)通電阻：5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 最大反饋電容 (Crss)：542pF
KIA75NF75場效應(yīng)管采用先進(jìn)的技術(shù)，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低Rds開啟，...KIA75NF75場效應(yīng)管采用先進(jìn)的技術(shù)，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低Rds開啟，RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V，減少導(dǎo)電損耗、提升效率；無鉛和綠色設(shè)備的特點(diǎn)，符合環(huán)保要...
KIA2808A是一款能夠代換hy4008場效應(yīng)管80V，200A參數(shù)的高性能功率器件，KIA280...KIA2808A是一款能夠代換hy4008場效應(yīng)管80V，200A參數(shù)的高性能功率器件，KIA2808A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流150A，VGS=10V時，RDS（開啟）=4.0m?（典型值...
KNX3308A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低rds開啟，RDS（ON）值為6.2...KNX3308A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，低rds開啟，RDS（ON）值為6.2mΩ，以減少導(dǎo)電損耗，具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行，確保電路的安...
KIA2807N場效應(yīng)管采用超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計，漏源擊穿電壓75V，漏極電...KIA2807N場效應(yīng)管采用超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計，漏源擊穿電壓75V，漏極電流為150A，RDS(on)=5.0mΩ @VGS= 10V；超低導(dǎo)通電阻、100%雪崩測試、可提供無鉛和綠...
