KIA3407A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，RDS...KIA3407A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)，漏源擊穿電壓70V，漏極電流80A，RDS(ON)最大10.8mΩ（在VGS=10V時(shí)）；通過超低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì)，確保運(yùn)行高效...
KNB2806A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值...KNB2806A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V，減小損耗，提高效率；具有100%雪崩測(cè)試、提供無鉛和綠色設(shè)備（符合RoH...
KIA2806A場(chǎng)效應(yīng)管替代150N06B場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用在逆變器、鋰電池保護(hù)板、電源管理中...KIA2806A場(chǎng)效應(yīng)管替代150N06B場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用在逆變器、鋰電池保護(hù)板、電源管理中，KIA2806A漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，低RDS（ON）=3.5 mΩ（典型值）@VGS=10V...
KCX3406A是N溝道增強(qiáng)型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)。漏源擊穿電壓60V，...KCX3406A是N溝道增強(qiáng)型SGT MOSFET，采用KIA的LVMOS技術(shù)生產(chǎn)。漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，RDS（開啟）（典型值）=8.5mΩ@VGS=10V，低柵電荷、低反饋電容、開...
KNX3406A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，低電阻，在VGS=10V時(shí)，RDS（...KNX3406A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，低電阻，在VGS=10V時(shí)，RDS（ON）=6.5m?（典型值），最大限度地減少導(dǎo)電損耗，提供卓越的開關(guān)性能；高雪崩、電...
KIA8606A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)的N溝道MOSFET，漏源擊穿電壓60V，漏極電...KIA8606A采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)的N溝道MOSFET，漏源擊穿電壓60V，漏極電流為35A，超低柵極電荷，提供卓越的開關(guān)性能；100%EAS保證、出色的Cdv/dt效應(yīng)、綠色...
