MOSFET采用橫向雙擴散結構(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖...MOSFET采用橫向雙擴散結構(IDMOS)來兼顧工作頻率與功率的要求，MESFET則采用肖特基勢壘柵極(Schottky Gate FET)結構（圖1.24）。就PN結的特性而言，與肖特基二極管...
采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道...采用DMOS工藝的VMOS最初稱為VDMOS( Vertical Double-diffusedMOSFET，垂直溝道，雙擴散MOSFET)和VVDMOS( V-groove VerticalDouble-diffused MOSFET,V形槽柵垂直...
功率MOSFET主要用于計算機外設(軟、硬驅動器、打印機、繪圖機)、電源(AC／DC變...功率MOSFET主要用于計算機外設(軟、硬驅動器、打印機、繪圖機)、電源(AC／DC變換器、DC／DC變換器)、汽車電子、音響電路及儀器、儀表等領域。
MOSFET構造，從縱剖面來看，柵極（柵區）、源極（源區）、漏極（漏區）大致排列...MOSFET構造，從縱剖面來看，柵極（柵區）、源極（源區）、漏極（漏區）大致排列在同不斷線上，這樣的構造被稱為橫向溝道(Ltcral Channel)構造。同時，柵極，精確一...
首先，要深入調查學習，我們需要了解同行的店鋪都是如何可經營的，我們需要先進...首先，要深入調查學習，我們需要了解同行的店鋪都是如何可經營的，我們需要先進行市場調研。 我們可以以消費者的身份進入網絡的同行店鋪，看看他們都在銷售什...
(1)將萬用表的轉換開關置于電阻擋的RX100擋或RXlk擋。 (2)用黑表筆任接一個...(1)將萬用表的轉換開關置于電阻擋的RX100擋或RXlk擋。 (2)用黑表筆任接一個電極，用紅表筆依次觸碰另外曲個電極，進行測量。
