用測(cè)電阻法區(qū)分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管丈量跨導(dǎo)性能時(shí)，...用測(cè)電阻法區(qū)分結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極對(duì)VMOSV溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管丈量跨導(dǎo)性能時(shí)，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就持平于在源、漏極之間加了一個(gè)反向電壓。此...
Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時(shí)刻。輸...Qg=（CEI）(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod （可在datasheet中找到） Tr：上升時(shí)刻。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)刻 td(on)：MOS導(dǎo)通延遲時(shí)刻，從有駛?cè)腚妷荷仙?..
向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容...向傳輸電容 Crss = CGD . Coss:輸出電容 Coss = CDS +CGD . Ciss:輸入電容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路). Tf :下降時(shí)刻.輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 9...
Mosfet參數(shù)意義闡明 Features: Vds： DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時(shí)，MOS的DS所...Mosfet參數(shù)意義闡明 Features: Vds： DS擊穿電壓.當(dāng)Vgs=0V時(shí)，MOS的DS所能承受的最大電壓 Rds(on)：DS的導(dǎo)通電阻.當(dāng)Vgs=10V時(shí)，MOS的DS之間的電阻 Id：...
P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大...P溝道MOS管工作原理金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類(lèi)， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之...
MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconduct...MOS管，即在集成電路中絕緣性場(chǎng)效應(yīng)管。MOS英文全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體，確切的說(shuō)，這個(gè)名字描寫(xiě)了集成電路中MOS管的構(gòu)造，即：在一...
