KIA3510AP場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導通電阻RDS(開啟) 9mΩ...KIA3510AP場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導通電阻RDS(開啟) 9mΩ，最大限度地減少開關損耗，提高效率；100%單脈沖雪崩能量測試，高效穩定可靠；符合...
Vo輸出電壓增大→TL431參考極電壓增大→TL431陰極與陽極壓降降低、電流增大→光...Vo輸出電壓增大→TL431參考極電壓增大→TL431陰極與陽極壓降降低、電流增大→光耦初級電流增大→光耦次級電流增大→FB腳電壓升高→電源管理芯片降低MOS管的占空比...
由兩個555構成兩個時鐘電路，由模十六計數器和組合邏輯門構成四種碼產生電路，...由兩個555構成兩個時鐘電路，由模十六計數器和組合邏輯門構成四種碼產生電路，由雙D觸發器和數據選擇器構成開關電路，由移位寄存器和八個彩燈構成輸出電路，一個時...
KPE4403B P溝道場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導通電阻RDS(on)=40...KPE4403B P溝道場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導通電阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；-5V邏輯電平控制、符合RoHS，高效穩定可靠...
N溝道MOS管是以一個摻入了少量正離子的P型半導體做為襯底，然后在襯底上制作兩...N溝道MOS管是以一個摻入了少量正離子的P型半導體做為襯底，然后在襯底上制作兩個高濃度的N +區作為源極和漏極。隨后，在源極和漏極之間的絕緣層上制作金屬層作為柵...
