當Q3基極輸入高電平時,三極管導通,Q1、Q2的柵極都被拉到0V,Q1通過體二極管,...當Q3基極輸入高電平時,三極管導通,Q1、Q2的柵極都被拉到0V,Q1通過體二極管,符合條件(Vgs<0)先導通,接著Q2的源極S端電壓大于柵極G端電壓(Vgs
KNY3403A場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流85A,采用KIA先進的溝槽技術,低導...KNY3403A場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流85A,采用KIA先進的溝槽技術,低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ,最大限度地減少導電損耗,減少導通損耗、提供卓越的開關性...
兩個PMOS接在上邊作為上橋臂,兩個NMOS接在下邊作為下橋臂,要想讓PMOS導通,那...兩個PMOS接在上邊作為上橋臂,兩個NMOS接在下邊作為下橋臂,要想讓PMOS導通,那么PMOS柵極的電壓就要低于源極的電壓,而且柵源之間的電壓要低于開啟電壓。
如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時導通,那么可以有幾種控制方式...如上圖所示,為一相的逆變橋。上下MOS管不能同時導通,那么可以有幾種控制方式: PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者恒低); PWM控制下管,上管電平控制;
KNY3303B場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,采用KIA先進的溝槽技術,特別...KNY3303B場效應管漏源擊穿電壓30V,漏極電流90A,采用KIA先進的溝槽技術,特別針對減少導通損耗、提供卓越的開關性能以及在雪崩和換向模式下承受高能脈沖進行了優...