MOSFET的三端標記分別為 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 電路符號有多種形...MOSFET的三端標記分別為 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 電路符號有多種形式， 最常見的如下圖所示， 以一條垂直線代表溝道(Channel)， 兩條和溝道平行的接線...
KNH9150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流40A，采用先進平面工藝制造，低導...KNH9150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流40A，采用先進平面工藝制造，低導通電阻RDS(on) 88mΩ，能夠最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷最小化開關損耗；具有...
BLDC驅動電路中的功率模塊多采用MOS管，MOS管具有低導通電阻和快速開關速度的特...BLDC驅動電路中的功率模塊多采用MOS管，MOS管具有低導通電阻和快速開關速度的特性，有利于降低電路功耗。在BLDC驅動電路里，為了實現電機的平滑啟動，常常會采用軟...
三相電動機內部有三個繞組。星型接法就是把三個繞組的一端連在一起，形成一個中...三相電動機內部有三個繞組。星型接法就是把三個繞組的一端連在一起，形成一個中性點。因為三相電動機的三個繞組電阻相同，而380V三相電源的線電壓也是平衡的，所以...
KNH3530A場效應管漏源擊穿電壓300V，漏極電流70A，采用專利平面技術制造，?低...KNH3530A場效應管漏源擊穿電壓300V，漏極電流70A，采用專利平面技術制造，?低導通電阻RDS(on) 45mΩ，能夠最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷，降低開關損耗；?...
