電機控制mos,75nf75,?80v80a場效應管,KIA75NF75參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-01-05
KIA75NF75場效應管采用先進的技術，漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，導通電阻RDS(開啟) 7mΩ，最大限度地減少導電損耗，提高效率；高雪崩電流，在運行時承受更高的沖擊負載，提供更穩定和可靠的性能；無鉛環保設備（符合RoHS標準），品質優越；廣泛用于電機控制、驅動、逆變器中廣泛應用，封裝形式：TO-220、TO-263。
詳細參數：
漏源電壓：80V
漏極電流：80A
導通電阻：7mΩ
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
最大功耗：240W
輸入電容：3110PF
輸出電容：445PF
反向傳輸電容：270PF
開通延遲時間：20.4nS
關斷延遲時間：67nS
上升時間：63ns
下降時間：43ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
