全橋電路兩個(gè)橋臂之一，例如開關(guān)Q1和Q4組成方向臂，當(dāng)調(diào)制信號(hào)us>0時(shí)，Q1導(dǎo)通，...全橋電路兩個(gè)橋臂之一，例如開關(guān)Q1和Q4組成方向臂，當(dāng)調(diào)制信號(hào)us>0時(shí)，Q1導(dǎo)通，而Q4關(guān)斷，輸出的平均電壓大于零；當(dāng)調(diào)制信號(hào)us<0時(shí)，Q4導(dǎo)通，而Q1關(guān)斷，輸出的平均...
三相電壓型逆變器結(jié)構(gòu)如圖所示。VT1-VT6 為六個(gè)功率開關(guān)管，由六路 PWM 信號(hào)進(jìn)...三相電壓型逆變器結(jié)構(gòu)如圖所示。VT1-VT6 為六個(gè)功率開關(guān)管，由六路 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制，逆變器輸出為 ua、ub 和 uc，控制無刷電機(jī)的三相線圈通斷，F(xiàn)OC控制下，輸出...
KCT012N09N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，...KCT012N09N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓90V，漏極電流305A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.3mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高...
開關(guān)控制： 同一橋臂的上下管互補(bǔ)導(dǎo)通，避免直通短路（需加入死區(qū)時(shí)間）。 在...開關(guān)控制： 同一橋臂的上下管互補(bǔ)導(dǎo)通，避免直通短路（需加入死區(qū)時(shí)間）。 在正弦波正半周，一對(duì)角開關(guān)交替導(dǎo)通；負(fù)半周切換至另一對(duì)角，實(shí)現(xiàn)交流極性反轉(zhuǎn)。
PWM逆變電路的原理是通過控制功率開關(guān)器件（如MOSFET或IGBT）的通斷時(shí)序，生成...PWM逆變電路的原理是通過控制功率開關(guān)器件（如MOSFET或IGBT）的通斷時(shí)序，生成寬度可變的等幅脈沖序列，從而將直流電（DC）高效地轉(zhuǎn)換為可調(diào)電壓和頻率的交流電（...
KCT050N08N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，...KCT050N08N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高...
