KCY3008A場效應(yīng)管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)...KCY3008A場效應(yīng)管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高效率；優(yōu)秀的柵極電荷xRDS（...
全橋變換器的基本工作原理是直流電壓Vin 經(jīng)過Q1、D1～Q4、D4組成的全橋開關(guān)變換...全橋變換器的基本工作原理是直流電壓Vin 經(jīng)過Q1、D1～Q4、D4組成的全橋開關(guān)變換器，在高頻變壓器初級得到高頻交流方波電壓，經(jīng)變壓器降壓，再全波整流變換成直流方...
基本配置包括直流電源（Vin）、電感（L）、二極管（D）、開關(guān)器件（SW）、平滑...基本配置包括直流電源（Vin）、電感（L）、二極管（D）、開關(guān)器件（SW）、平滑電容（C）和負(fù)載電阻（Load），Vout 是輸出電壓。開關(guān)通常是功率電子器件，例如由 P...
鋰電池保護(hù)板（13-16串)專用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用...鋰電池保護(hù)板（13-16串)專用MOS管KCB3008B漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A；使用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高效率...
QFN和DFN封裝工藝步驟： 芯片切割：使用劃片機(jī)等設(shè)備將芯片從硅晶圓上切割分離...QFN和DFN封裝工藝步驟： 芯片切割：使用劃片機(jī)等設(shè)備將芯片從硅晶圓上切割分離出來。 芯片貼裝：將切割下來的芯片粘貼到雙框架芯片封裝的基板上。 引腳連接：通...
SBD具有較低的正向?qū)妷海话銥?.3V左右；而PN結(jié)硅二極管正向?qū)妷簽?....SBD具有較低的正向?qū)妷海话銥?.3V左右；而PN結(jié)硅二極管正向?qū)妷簽?.7V左右。肖特基二極管的正向?qū)妷和ǔ５陀赑N結(jié)二極管，這意味著在正向?qū)〞r(shí)，肖...
