圖（a)所示晶體管開關電路分析可知、當輸入為高電平時，輸出為低電平；當輸入為...圖（a)所示晶體管開關電路分析可知、當輸入為高電平時，輸出為低電平；當輸入為低電平時，輸出為高電平，所以輸出與輸入之間呈現非邏輯關系，是一個非門，也稱為反...
整流部分使用6個二極管。二極管D1、D2和D3與正軌連接，二極管D4、D5和D6與負軌...整流部分使用6個二極管。二極管D1、D2和D3與正軌連接，二極管D4、D5和D6與負軌連接。這 6 個二極管充當二極管電橋，將三相交流信號轉換為單個直流電源軌。三相 R、...
KNM63120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流12A，開關速度快，高效穩定；低...KNM63120A場效應管漏源擊穿電壓1200V，漏極電流12A，開關速度快，高效穩定；低導通電阻RDS(on) 1.2Ω，能夠最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷最小化開關損耗；具...
需要點動控制時，按下點動復合按鈕 SB3，其常閉觸點先斷開KM的自鎖電路，隨后S...需要點動控制時，按下點動復合按鈕 SB3，其常閉觸點先斷開KM的自鎖電路，隨后SB3常開觸點閉合，接通啟動控制電路，接觸器KM線圈得電吸合，KM主觸點閉合，電動機M啟...
MOSFET的三端標記分別為 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 電路符號有多種形...MOSFET的三端標記分別為 G， S， D(Gate， Source， Drain)， 電路符號有多種形式， 最常見的如下圖所示， 以一條垂直線代表溝道(Channel)， 兩條和溝道平行的接線...
KNH9150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流40A，采用先進平面工藝制造，低導...KNH9150A場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流40A，采用先進平面工藝制造，低導通電阻RDS(on) 88mΩ，能夠最大限度地減少導電損耗，低柵極電荷最小化開關損耗；具有...
