根據(jù)偏置電路形式，場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的直流通路分為自給偏壓電路和分壓式偏置電...根據(jù)偏置電路形式，場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的直流通路分為自給偏壓電路和分壓式偏置電路。
平帶電壓（Flat band voltage）就是在MOS系統(tǒng)中，使半導(dǎo)體表面能帶拉平（呈平帶...平帶電壓（Flat band voltage）就是在MOS系統(tǒng)中，使半導(dǎo)體表面能帶拉平（呈平帶狀態(tài)）所需要外加的電壓。 平帶狀態(tài)一般是指理想MOS系統(tǒng)中各個(gè)區(qū)域的能帶都是拉平...
這個(gè)是典型的MOS管驅(qū)動(dòng)電路，串聯(lián)了10Ω電阻。 盡管從電路圖上看去，上面既沒...這個(gè)是典型的MOS管驅(qū)動(dòng)電路，串聯(lián)了10Ω電阻。 盡管從電路圖上看去，上面既沒有電感，也沒有電容。但實(shí)際上是，我們PCB總要將線從驅(qū)動(dòng)芯片拉到MOS管，線寬12mil，...
反型層是半導(dǎo)體材料中的一層，在某些條件下，多數(shù)載流子的類型在一定條件下變化...反型層是半導(dǎo)體材料中的一層，在某些條件下，多數(shù)載流子的類型在一定條件下變化。在通常的MOS器件中，反型層構(gòu)成導(dǎo)電溝道，是器件導(dǎo)通的原因，表面反型狀態(tài)對(duì)MOS器...
在半導(dǎo)體的制造中，始終遵循著摩爾定律，于是集成電路的尺寸持續(xù)減小，于是MOS...在半導(dǎo)體的制造中，始終遵循著摩爾定律，于是集成電路的尺寸持續(xù)減小，于是MOSFET的溝道長(zhǎng)度也相應(yīng)地縮短，這就導(dǎo)致了MOSFET管中的S和D（源和漏）的距離越來越短，...
通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入...通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。 MOS管，當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí)，要經(jīng)歷一個(gè) Si 表面電子濃...
