肖特基勢壘二極管利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成，有點接觸型和面結合型兩種...肖特基勢壘二極管利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成，有點接觸型和面結合型兩種管芯結構。 傳統SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳...
正弦波逆變器將直流電轉換為與電網相似的標準正弦波交流電，廣泛應用于太陽能、...正弦波逆變器將直流電轉換為與電網相似的標準正弦波交流電，廣泛應用于太陽能、電動車充電和移動電源等領域。 直流輸入：逆變器接收來自直流電源（如蓄電池、太陽...
超結MOS管KCB6265A采用KIA半導體先進的超級結技術制造，低導通電阻RDS(on) 0.3...超結MOS管KCB6265A采用KIA半導體先進的超級結技術制造，低導通電阻RDS(on) 0.33Ω，可以最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高...
碳化硅mos管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是第三代半導體材料電力電子器件...碳化硅mos管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是第三代半導體材料電力電子器件，三個腳分別為柵極（G），漏極（D）和源極（S）。碳化硅MOS為電壓型控制器件，具有...
儲能逆變器是一種將直流電轉化為交流電，并能夠將電能儲存于電池中的設備。儲能...儲能逆變器是一種將直流電轉化為交流電，并能夠將電能儲存于電池中的設備。儲能逆變器在應對電網電力波動和提高電力系統供電質量方面具有非常重要的作用。它可以控...
KCB2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術設計，極低...KCB2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術設計，極低導通電阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的柵極電荷，可最大限度地減少導電損失，減少開關損耗...
