10N60現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA10N60 PDF下載 10N60參數(shù)配置對比-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-01-17
N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設(shè)計用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓?fù)洹?/span>
2、特征
RD= 0.6@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的44nc）
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
漏源反向電壓（vds)： 600
柵源反向電壓（vgs)：30
漏電流（連續(xù)）:TC=250C
總功耗:TC=25oC、PD=50 W
結(jié)溫:TJ+150oC
貯藏溫度~ STG - 55 + 150oC
封裝形式：TO-220F
3、KIA10N06產(chǎn)品規(guī)格
 |
10N60（9.5A 100V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA10N60H |
| 產(chǎn)品工藝 |
10N60 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設(shè)計用于高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正電子鎮(zhèn)流器基于半橋拓?fù)?/span> |
| 特征 |
RD= 0.6?@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型的44nc） 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
該產(chǎn)品適用于高速開關(guān)電源，PWM電機控制，高效率的DC至DC轉(zhuǎn)換器和橋電路 |
| 封裝形式 | TO-220F |
| PDF文件 |
 【直接預(yù)覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA 原廠家 |
| 網(wǎng)址 | www.worksns.com |
| PEF總頁數(shù) | 總5頁 |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
關(guān)注KIA半導(dǎo)體工程專輯請搜微信號:“KIA半導(dǎo)體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關(guān)注”
長按二維碼識別關(guān)注
相關(guān)搜索：
