dh100p20,?pmos-100v-28a,KPD7910A場效應管替代-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2026-01-07
dh100p20替代型號KPD7910A場效應管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-28A，采用先進的高密度溝槽技術制造，低導通電阻RDS(開啟) 60mΩ，超低柵電荷，降低功率損耗，提高系統效率；開關速度快，優秀的QgxRDS產品（FOM）、符合JEDEC標準，穩定可靠；廣泛應用于電動車、電機控制與驅動、電池管理中，封裝形式：TO-252，散熱出色。
KPD7910A場效應管參數能夠完美匹配NCE01P18，其他替代型號為：CMD5950、SVT10500、DH100P30。
詳細參數：
漏源電壓：-100V
漏極電流：-28A
導通電阻：60mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-112A
雪崩能量單脈沖：242MJ
總功耗：102W
閾值電壓：-2V
總柵極電荷：52nC
輸入電容：3800PF
輸出電容：1200PF
反向傳輸電容：650PF
開通延遲時間：10nS
關斷延遲時間：112nS
上升時間：25ns
下降時間：75ns
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