dh100p20替代型號KPD7910A場效應管漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-28A,采用先進...dh100p20替代型號KPD7910A場效應管漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-28A,采用先進的高密度溝槽技術制造,?低導通電阻RDS(開啟) 60mΩ,超低柵電荷,降低功率損耗,提...
為確保零線的存在,變壓器的二次側被設計成星形接法,而一次側則采用三角形接法...為確保零線的存在,變壓器的二次側被設計成星形接法,而一次側則采用三角形接法,從而有效防止3次諧波進入電網。在這種配置中,三個晶閘管以共陰極的方式相連,這...
PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低); PWM控制下管,上管電平控制; ...PWM控制上管,下管電平控制(恒高或者橫低); PWM控制下管,上管電平控制; 上下管都是PWM控制; 某個管的控制可以是PWM控制和電平控制都有。
KPU8610A場效應管漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,采用先進的高密度溝槽技術...KPU8610A場效應管漏源擊穿電壓-100V,漏極電流-35A,采用先進的高密度溝槽技術制造,低導通電阻RDS(開啟)?? 32mΩ、超低柵電荷,降低功率損耗,提高系統效率,能...
MOSFET VI 特性用于控制直流電機的速度,電機的正偏置端子連接到MOS管的源極端...MOSFET VI 特性用于控制直流電機的速度,電機的正偏置端子連接到MOS管的源極端子,負端子連接到Gnd。 MOS管的漏極引腳直接連接到電源正極引腳。柵極端子連接到 RV...
通過控制輸入口P00的高低電平來實現電機正反轉,當P00為低電平時,Q4截止,Q3導...通過控制輸入口P00的高低電平來實現電機正反轉,當P00為低電平時,Q4截止,Q3導通,Q1和Q6導通,Q2和Q5截止,直流電機左端為正極,右端為負極,電機正轉(反轉);...