KNH3206A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，低導通電阻RDS(on)6.5mΩ，能...KNH3206A場效應管漏源擊穿電壓60V，漏極電流110A，低導通電阻RDS(on)6.5mΩ，能夠最大限度地減少導電損耗，具備用于快速開關應用的低柵極電荷，優化的BVDSS能力，...
整流電路所帶負載為具有反電動勢的阻感負載。若將電路中的晶閘管替換為二極管，...整流電路所帶負載為具有反電動勢的阻感負載。若將電路中的晶閘管替換為二極管，即相當于晶閘管觸發角α=0o的情況。在此狀態下，共陰極組的三個晶閘管中，陽極所接...
NMOS由n型半導體構成的源極和漏極，而基板（襯底）通常是p型半導體。 工作原理...NMOS由n型半導體構成的源極和漏極，而基板（襯底）通常是p型半導體。 工作原理： 關閉狀態（柵極電壓低于閾值電壓 Vth） 當柵極電壓（V_GS)低于閾值電壓（V_th...
電源抑制比(PSRR,Power Supply Rejection Ratio)，它描述了電路抑制任何電源變...電源抑制比(PSRR,Power Supply Rejection Ratio)，它描述了電路抑制任何電源變化傳遞到其輸出信號的能力，通常以dB為單位進行測量，用來描述輸出信號受電源影響。...
源極（S）：在符號中始終表現為兩條導線的交叉點，負責為導電溝道提供載流子（...源極（S）：在符號中始終表現為兩條導線的交叉點，負責為導電溝道提供載流子（電子或空穴），是電流的輸入或輸出端。 漏極（D）：在符號中為單獨引線的一側，作為...
ao3400場效應管代換型號KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進的溝槽...ao3400場效應管代換型號KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開關...
